氮化硅的電絕緣性能如何?
氮化硅是一種比較常見的鐵合金材料,因?yàn)槠湫阅茉?,在很多領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,那么氮化硅的電絕緣緣性能如何?我們一起來(lái)了解一下?
氮化硅陶瓷可做高溫絕緣材料,其性能指標(biāo)的優(yōu)劣主要取決于合成方式與純度,材料內(nèi)未被氮化的游離硅,在制備中帶入的堿金屬、堿土金屬、鐵、鈦、鎳等雜志,均可惡化氮化硅陶瓷的電性能。一般氮化硅陶瓷在室溫下、在干燥介質(zhì)中的比電阻為1015~1016歐姆,介電常數(shù)是9.4~9.5,在高溫下,氮化硅陶瓷仍保持較高的比電阻值,隨著工藝條件的提高,氮化硅可以進(jìn)入常用電介質(zhì)行列。
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